パルスバイアス核形成法を用いた3C-SiC(111)/Si(111)上への高配向ダイヤモンドの合成
パルスバイアス核形成法を用いた3C-SiC(111)/Si(111)上への高配向ダイヤモンドの合成
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脉冲偏压成核法在3C-SiC(111)/Si(111)上合成高取向金刚石
DOI：
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发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
波多野 睦子
中科院分区：
文献类型：
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作者：
須藤 建瑠;矢板 潤也;岩崎 孝之;波多野 睦子
