Control of hole density in acceptor co-doped Si:Ce films
Control of hole density in acceptor co-doped Si:Ce films
复制标题
受主共掺杂 Si:Ce 薄膜中空穴密度的控制
DOI：
--
复制
发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
Norifumi Fujimura
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Yusuke Miyata;Kazuya Ueno;Takeshi Yoshimura;Atsushi Ashida;Norifumi Fujimura
