Characterization of Voltage Divergence in Series Connected SiC Trench MOSFETs and Si IGBTs
Characterization of Voltage Divergence in Series Connected SiC Trench MOSFETs and Si IGBTs
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串联 SiC 沟槽 MOSFET 和 Si IGBT 中电压发散的表征
DOI：
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发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Davletzhanova Z
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Davletzhanova Z
