Write-error rate of nanoscale magnetic tunnel junctions in the precessional regime
Write-error rate of nanoscale magnetic tunnel junctions in the precessional regime
复制标题
进动状态下纳米级磁隧道结的写入错误率
DOI：
10.1063/1.5121157
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发表时间：
2019
影响因子：
4
通讯作者：
Ohno Hideo
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Saino Takaharu;Kanai Shun;Shinozaki Motoya;Jinnai Butsurin;Sato Hideo;Fukami Shunsuke;Ohno Hideo
