Growth of GaN and InGaN thick epitaxial layers by tri-halide vapor phase epitaxy
Growth of GaN and InGaN thick epitaxial layers by tri-halide vapor phase epitaxy
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三卤化物气相外延生长 GaN 和 InGaN 厚外延层
DOI：
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发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
A. Koukitu
中科院分区：
文献类型：
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作者：
H. Murakami;T. Hirasaki;Q. T. Thieu;R. Togashi;Y. Kumagai; K. Matsumoto;A. Koukitu
