Fine structure splitting of isoelectronic bound excitons in nitrogen doped GaAs
Fine structure splitting of isoelectronic bound excitons in nitrogen doped GaAs
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氮掺杂 GaAs 中等电子束缚激子的精细结构分裂
DOI：
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发表时间：
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期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Takashi Kita
中科院分区：
文献类型：
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作者：
白松 俊;験谷 和範;尾形 哲也;奥乃 博;目黒 紀夫;Toshio Meguro;Yukihiro Harada;Yukihiro Harada;Takashi Kita
