Domain-wall structure and domain-wall strain
Domain-wall structure and domain-wall strain
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DOI：
10.1063/1.1573749
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发表时间：
2003-06-15
影响因子：
3.2
通讯作者：
Bismayer, U
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Lee, WT;Salje, EKH;Bismayer, U
畴壁内的应力和应变对于理解畴壁与点缺陷的相互作用以及畴壁的表面结构是重要的。不幸的是，试图通过衍射或其他方法来确定畴壁的这些性质的尝试失败了，因为该技术的分辨率低。我们概述了一种方法，用于估计局部应力和应变畴壁内使用朗道理论的相变的基础上弹性数据。我们将此方法应用于材料V3Si，TeO2（副卫星石）和SiO2（石英）。(C)2003年，美国物理学会。
Stresses and strains within domain walls are important for understanding the interaction of domain walls with point defects, and the surface structure of the domain walls. Unfortunately, attempts to determine these properties of the domain wall by diffraction or other methods fail because of the low resolution of the technique. We outline a method for estimating local stresses and strains within the domain wall using Landau theories of phase transitions based on elastic data. We apply this method to the materials V3Si, TeO2 (paratellurite), and SiO2 (quartz). (C) 2003 American Institute of Physics.