SiCをプラットフォームとしたBeyond 5Gデバイスの創出とデバイス物理の探求
SiCをプラットフォームとしたBeyond 5Gデバイスの創出とデバイス物理の探求
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使用SiC作为平台创建Beyond 5G设备并探索设备物理
DOI：
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发表时间：
2022
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
吹留博一
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Omika Keiichi;Takahashi Kensuke;Yasui Akira;Ohkochi Takuo;Osawa Hitoshi;Kouchi Tsuyoshi;Tateno Yasunori;Suemitsu Maki;Fukidome Hirokazu;吹留博一
