Temperature dependence of photoluminescence intensity change due to below-gap excitation in GaN
Temperature dependence of photoluminescence intensity change due to below-gap excitation in GaN
复制标题
GaN 中带隙下激发引起的光致发光强度变化的温度依赖性
DOI：
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发表时间：
2002
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
T.Someya
中科院分区：
文献类型：
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作者：
N.Kamata;J.M.Z.Ocampo;T.Someya
