Electron Injection into Si nano dot fabricated by Side-wall type plasma enhanced chemical vapor deposition

Electron Injection into Si nano dot fabricated by Side-wall type plasma enhanced chemical vapor deposition
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电子注入侧壁型等离子体增强化学气相沉积硅纳米点

DOI：
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发表时间：
2005
期刊：
IEEE/International Meeting for Future Electron Devices, Kansai P-D7
影响因子：
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通讯作者：
Kiyoshi Ogata
Kiyoshi Ogata
中科院分区：
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文献类型：
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作者：
Kazunori Ichikawa;Masato Mukai;P.Punchaipetch;Hiroshi Yano;Tomoaki Hatayama;Yukiharu Uraoka;Takashi Fuyuki;Eiji Takahashi;Tsukasa Hayashi;Kiyoshi Ogata

文献摘要

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