The formation of high number density InSb quantum dots, resulting from direct InSb/GaSb (001) heteroepitaxy
The formation of high number density InSb quantum dots, resulting from direct InSb/GaSb (001) heteroepitaxy
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DOI：
10.1016/j.jcrysgro.2015.03.025
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发表时间：
2015-06
影响因子：
1.8
通讯作者：
J. J. Bomphrey-J.;M. Ashwin;T. Jones
中科院分区：
文献类型：
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作者：
J. J. Bomphrey-J.;M. Ashwin;T. Jones
