C-V測定によるAl2O3/GeOx/p-Ge MOS界面の電子とホールの遅い準位密度の評価
C-V測定によるAl2O3/GeOx/p-Ge MOS界面の電子とホールの遅い準位密度の評価
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通过 C-V 测量评估 Al2O3/GeOx/p-Ge MOS 界面电子和空穴的慢能级密度
DOI：
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发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
高木信一
中科院分区：
文献类型：
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作者：
柯夢南;竹中充;高木信一
