GaAs(110)上のGaAs/AlGaAs量子井戸の結晶成長と電子スピン緩和の評価
GaAs(110)上のGaAs/AlGaAs量子井戸の結晶成長と電子スピン緩和の評価
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GaAs(110) 上 GaAs/AlGaAs 量子阱的晶体生长和电子自旋弛豫评估
DOI：
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发表时间：
2009
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
揖場聡
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Y. Takahashi;F. Hirose;Y. Sato;and H. Kawaguchi;Shinji Koh;揖場聡
