Enhanced Variability by Quantum Confinement Effects in Extremely Narrow Silicon Nanowire MOSFETs with Nanowire Width down to 2nm
Enhanced Variability by Quantum Confinement Effects in Extremely Narrow Silicon Nanowire MOSFETs with Nanowire Width down to 2nm
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纳米线宽度低至 2nm 的极窄硅纳米线 MOSFET 中的量子限制效应增强了可变性
DOI：
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发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Toshiro Hiramoto
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Toshiro Hiramoto
