Room temperature single photon emission from an epitaxially grown quantum dot
Room temperature single photon emission from an epitaxially grown quantum dot
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DOI：
10.1063/1.3683498
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发表时间：
2012-02-06
影响因子：
4
通讯作者：
Kuemmell, T.
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Fedorych, O.;Kruse, C.;Kuemmell, T.
展示了室温下外延生长的量子点的单光子发射。 CdSe/ZnSSe 量子点嵌入 MgS 势垒中，提供高达 300 K 的主要辐射复合。在连续波光激发下，自相关函数 g(2)(t) 在 (t = 0) 处表现出急剧下降，在 T = 300 K 处 g((2))(0) = 0.16 +/- 0.15，即使在室温下也显示出对多光子发射的出色抑制。 (C) 2012 年美国物理研究所。 [doi:10.1063/1.3683498]
Single photon emission from an epitaxially grown quantum dot at room temperature is presented. CdSe/ZnSSe quantum dots are embedded into MgS barriers, providing dominant radiative recombination up to 300 K. Under continuous wave optical excitation, the autocorrelation function g(2)(t) exhibits a sharp dip at (t = 0) with g((2))(0) = 0.16 +/- 0.15 at T = 300 K, revealing excellent suppression of multiphoton emission even at room temperature. (C) 2012 American Institute of Physics. [doi:10.1063/1.3683498]