MBE-VLS法を用いた(111)Si基板上へのGaAsナノワイヤ成長
MBE-VLS法を用いた(111)Si基板上へのGaAsナノワイヤ成長
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使用 MBE-VLS 方法在 (111)Si 衬底上生长 GaAs 纳米线
DOI：
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发表时间：
2008
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
西脇達也
中科院分区：
文献类型：
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作者：
山口雅史;白知鉉;西脇達也
