Fully Digital Ternary Content Addressable Memory using Ratio-less SRAM Cells and Hierarchical-AND Matching Comparator for Ultra-low-voltage Operation

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使用无比率 SRAM 单元和分层与匹配比较器实现超低电压操作的全数字三态内容可寻址存储器

DOI:
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发表时间:
2017
期刊:
影响因子:
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通讯作者:
K. Nakamura
K. Nakamura
中科院分区:
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文献类型:
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作者:
D. Nishikata;M. A. Bin Mohd Ali;K. Hosoda;H.Matsumoto;K. Nakamura

文献摘要

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