H.Motomura, T.Nakamura, K.Tachibana: "Difference in Surface and Gas Phase Reaction between C_4F_8 and C_5F_8 Plasmas for SiO_2/Photo-Resist Selective Etching"Symposium Proceedings of the 15^<th> International Symposium on Plasma Chemistry(ISPC-15). 1719-1
H.Motomura, T.Nakamura, K.Tachibana: "Difference in Surface and Gas Phase Reaction between C_4F_8 and C_5F_8 Plasmas for SiO_2/Photo-Resist Selective Etching"Symposium Proceedings of the 15^<th> International Symposium on Plasma Chemistry(ISPC-15). 1719-1
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H.Motomura、T.Nakamura、K.Tachibana：“Difference in Surface and Gas Phase Reaction Between C_4F_8 and C_5F_8 Plasmas for SiO_2/Photo-Resist Selective Etching”第十五届国际等离子体化学研讨会(ISPC)会议论文集
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