H.Sai: "Growth of Device Quality InGaP/GaAs Heterostructures by Gas Source Molecular Beam Epitaxy Using Tertiarybutylphosphine"Solid State Electronics. 43. 1541-1546 (1999)
H.Sai: "Growth of Device Quality InGaP/GaAs Heterostructures by Gas Source Molecular Beam Epitaxy Using Tertiarybutylphosphine"Solid State Electronics. 43. 1541-1546 (1999)
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H.Sai：“使用叔丁基膦通过气源分子束外延提高器件质量 InGaP/GaAs 异质结构”固态电子学。
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