DECOMPOSITION AND PRODUCT FORMATION IN CF4-O2 PLASMA-ETCHING SILICON IN THE AFTERGLOW

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DOI:
10.1063/1.329812
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发表时间:
1981-01-01
影响因子:
3.2
通讯作者:
VANDEPOLL, RPJ
VANDEPOLL, RPJ
中科院分区:
物理与天体物理3区
文献类型:
--
作者:
BEENAKKER, CIM;VANDOMMELEN, JHJ;VANDEPOLL, RPJ

文献摘要

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