埋め込みNiバックゲートを用いたp-MoS2/HfS2トンネルFET
埋め込みNiバックゲートを用いたp-MoS2/HfS2トンネルFET
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具有嵌入式 Ni 背栅的 p-MoS2/HfS2 隧道 FET
DOI：
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发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
宮本 恭幸
中科院分区：
文献类型：
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作者：
張 文倫;祢津 誠晃;金澤 徹;雨宮 智宏;宮本 恭幸
