Effect of Hydrogen Ion Energy in the Process of Reactive Ion Etching of Sn Thin Films by Hydrogen Plasmas
Effect of Hydrogen Ion Energy in the Process of Reactive Ion Etching of Sn Thin Films by Hydrogen Plasmas
复制标题
氢等离子体反应离子刻蚀Sn薄膜过程中氢离子能量的影响
DOI：
10.1585/pfr.16.1406003
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发表时间：
2021
影响因子：
0.8
通讯作者：
Ryo NAGATA and Kiichiro UCHINO
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Mengran JI;Ryo NAGATA and Kiichiro UCHINO
