T.Matsuura, J.Murota, T.Ohmi, Y.Sawada, and S.Ono: "Highly selective and atomic layr controlled etching by ultraclean ECR plasmas" Proc. Int. Conf. on advanced Microelectronic Devices and Processing. March 3-5 (invited). 139-146 (1994)
T.Matsuura, J.Murota, T.Ohmi, Y.Sawada, and S.Ono: "Highly selective and atomic layr controlled etching by ultraclean ECR plasmas" Proc. Int. Conf. on advanced Microelectronic Devices and Processing. March 3-5 (invited). 139-146 (1994)
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T.Matsuura、J.Murota、T.Ohmi、Y.Sawada 和 S.Ono：“超净 ECR 等离子体的高选择性和原子层控制蚀刻”Proc。
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