レーザーアブレーション法により生成したSiナノ細線 : -酸化による細線径および応力の制御と不純物ドーピング-
レーザーアブレーション法により生成したSiナノ細線 : -酸化による細線径および応力の制御と不純物ドーピング-
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采用激光烧蚀法生产的硅纳米线：-通过氧化和杂质掺杂控制线径和应力-
DOI：
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发表时间：
2006
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
深田直樹
中科院分区：
文献类型：
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作者：
N.Fukata;T.Oshima;N.Okada;T.Kizuka;T.Tsurui;S.Ito;K.Murakami;深田直樹
