Plasma and fluorocarbon-gas free Si dry etching process using a Cat-CVD system
Plasma and fluorocarbon-gas free Si dry etching process using a Cat-CVD system
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使用 Cat-CVD 系统进行等离子和无碳氟化合物气体的硅干法蚀刻工艺
DOI：
10.1016/s0167-9317(99)00504-3
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发表时间：
2000
影响因子：
2.3
通讯作者：
H. Matsumura
中科院分区：
文献类型：
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作者：
A. Izumi;Hidekazu Sato;S. Hashioka;M. Kudo;H. Matsumura
