多光子励起を用いたGaNの正孔の衝突イオン化係数の測定
多光子励起を用いたGaNの正孔の衝突イオン化係数の測定
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使用多光子激发测量 GaN 中空穴的碰撞电离系数
DOI：
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发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
天野浩
中科院分区：
文献类型：
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作者：
川崎晟也;安藤悠人;渡邉浩崇;田中敦之;出来真斗;新田州吾;本田善央;天野浩
