Shuttle instability induced by an ac gate in a nanoelectromechanical si ngle-electron transistor
Shuttle instability induced by an ac gate in a nanoelectromechanical si ngle-electron transistor
复制标题
纳米机电单电子晶体管中交流门引起的穿梭不稳定性
DOI：
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发表时间：
2008
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Norihiko Nishiguchi
中科院分区：
文献类型：
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作者：
N.Nishiguchi;M.N.Wybourne;S. Mizuno N. Nishiguchi;Norihiko Nishiguchi
