Source Gas Pulse-Introduced MOCVD of HfO_2 Thin Films using Hf(O-t-C_4H_9)_4
Source Gas Pulse-Introduced MOCVD of HfO_2 Thin Films using Hf(O-t-C_4H_9)_4
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使用 Hf(O-t-C_4H_9)_4 源气体脉冲引入 HfO_2 薄膜 MOCVD
DOI：
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发表时间：
2004
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Makoto Nakayama
中科院分区：
文献类型：
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作者：
井坂勉;長谷川晶一;寺島俊介;関井康雄;林友直;Hirokazu SAIKI;Takaaki MIYASAKO;Makoto Nakayama
