Electron-spin transport and spin relaxation in III-V compound semiconductor barrier layers integrated with self-assembled quantum dots
Electron-spin transport and spin relaxation in III-V compound semiconductor barrier layers integrated with self-assembled quantum dots
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与自组装量子点集成的 III-V 族化合物半导体势垒层中的电子自旋输运和自旋弛豫
DOI：
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发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
and J. Takayama
中科院分区：
文献类型：
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作者：
A. Murayama;S. Hiura;and J. Takayama
