Vertical breakdown characteristics of AlGaN/GaN HFET with carbon-doped GaN on conductive GaN substrate
Vertical breakdown characteristics of AlGaN/GaN HFET with carbon-doped GaN on conductive GaN substrate
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导电 GaN 衬底上碳掺杂 GaN 的 AlGaN/GaN HFET 的垂直击穿特性
DOI：
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发表时间：
2012
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
T. Sugiyama
中科院分区：
文献类型：
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作者：
杉山貴之;他;池田聡史;T. Sugiyama;T. Sugiyama
