Cross-sectional scanning tunneling microscopy of MBE-grown Si p-n junctions and Si/SiGe superlattices
Cross-sectional scanning tunneling microscopy of MBE-grown Si p-n junctions and Si/SiGe superlattices
复制标题
MBE 生长的 Si p-n 结和 Si/SiGe 超晶格的横截面扫描隧道显微镜
DOI：
10.1016/0022-0248(93)90655-g
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发表时间：
1993
影响因子：
1.8
通讯作者：
S. Iyer
中科院分区：
文献类型：
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作者：
E. Yu;Matthew B. Johnson;V. Kesan;A. Powell;J. Halbout;S. Iyer
