L-band carbon nanotube transistor amplifier
L-band carbon nanotube transistor amplifier
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DOI：
10.1049/el.2011.0018
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发表时间：
2011-02
影响因子：
1.1
通讯作者：
M. Eron;S. Lin;D. Wang;M. Schroter;P. Kempf
中科院分区：
文献类型：
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作者：
M. Eron;S. Lin;D. Wang;M. Schroter;P. Kempf
设计、制造了第一台基于碳纳米管的单级L波段射频放大器，并对其特性进行了分析。利用在片探针的测量数据，设计了一种采用CN FET管芯的单级离散反馈放大器。该放大器在1.3 GHz下获得了11dB线性增益，输入/输出回波损耗优于10dB.测量结果与仿真结果吻合较好。
The first carbon nanotube transistor (CNT)-based single-stage L-band RF amplifier has been designed, built and characterised. The on-wafer probe measured data was used to design a single-stage discrete feedback amplifier with a CN FET die. The amplifier achieved 11 dB linear gain with better than 10 dB input/output return loss at 1.3 GHz. The measurement results match well with the simulation.