Amorphous SiO2/SiC interface defect structure generated with first-principle molecular dynamics simulation

Amorphous SiO2/SiC interface defect structure generated with first-principle molecular dynamics simulation
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第一原理分子动力学模拟生成非晶SiO2/SiC界面缺陷结构

DOI:
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发表时间:
2008
期刊:
影响因子:
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通讯作者:
M.Yoshikawa
M.Yoshikawa
中科院分区:
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文献类型:
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作者:
A.Miyashita;T.Ohnuma;M.Iwasawa;H.Tsuchida;M.Yoshikawa

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