Tunnel-junction p-contact sub-250 nm deep-UV LEDs
Tunnel-junction p-contact sub-250 nm deep-UV LEDs
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隧道结 p 接触 250 nm 深紫外 LED
DOI：
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发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
D. Jena
中科院分区：
文献类型：
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作者：
S. Bharadwaj;Kevin Lee;S. Islam;V. Protasenko;H. Xing;D. Jena
我们展示了一个243 nm深紫外（深紫外）GaN/AlN异质结发光二极管，有和没有隧道结p接触。从2个单层厚的GaN量子结构有源区发生光发射。隧道结的使用增强了正向偏置下的电流密度。
We demonstrate a 243 nm deep-ultraviolet (deep-UV) GaN/AlN heterostructure light-emitting diode with and without a tunnel-junction p-contact. Optical emission occurs from 2 monolayer thick GaN quantum structure active regions. Use of a tunnel-junction enhances the current density under forward bias.