Nitrogen doping-induced local structure change in a Cr2Ge2Te6 inverse resistance phase-change material
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DOI：
10.1039/d0ma00554a
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发表时间：
2020-10
影响因子：
5
通讯作者：
Yi Shuang;S. Hatayama;H. Tanimura;D. Ando;T. Ichitsubo;Y. Sutou
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Yi Shuang;S. Hatayama;H. Tanimura;D. Ando;T. Ichitsubo;Y. Sutou
利用拉曼散射研究了掺氮Cr2Ge2Te6相变材料的相变机理。
This work investigated the phase change mechanism of a nitrogen-doped Cr2Ge2Te6 phase change material via Raman scattering.