Gated Four-Probe Method for Evaluation of Electrical Characteristics in MoS2 Field-Effect Transistors
Gated Four-Probe Method for Evaluation of Electrical Characteristics in MoS2 Field-Effect Transistors
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用于评估 MoS2 场效应晶体管电气特性的门控四探针法
DOI：
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发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Shunri Oda
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Tomoaki Oba;Takamasa Kawanago;Shunri Oda
