Improved interfaces of high-k ZrO2 and AlGaN via ex-situ MOVPE regrowth
Improved interfaces of high-k ZrO2 and AlGaN via ex-situ MOVPE regrowth
复制标题
通过异位 MOVPE 再生长改善高 k ZrO2 和 AlGaN 的界面
DOI：
--
复制
发表时间：
2020
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
Masaaki Kuzuhara
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Itsuki Nagase;Joel T. Asubar; Rui Shan Low;Shun Urano;Shunsuke Kamiya;Ali Baratov;Hirokuni Tokuda;Akio Yamamoto;Masaaki Kuzuhara
