H.Wado: "Epitaxial growth of γ、Al2O3 layers on Si (111) using Al solid source and N2O gas source molecular beam epitaxy," Appl.Phys.Lett. 67. 2200-2202 (1995)
H.Wado: "Epitaxial growth of γ、Al2O3 layers on Si (111) using Al solid source and N2O gas source molecular beam epitaxy," Appl.Phys.Lett. 67. 2200-2202 (1995)
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H.Wado：“使用 Al 固体源和 N2O 气体源分子束外延在 Si (111) 上外延生长 γ、Al2O3 层”，Appl.Phys.Lett 67. 2200-2202 (1995)
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