Resistive memory switching of Cuχ films for a nonvolatile memory application
Resistive memory switching of Cuχ films for a nonvolatile memory application
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用于非易失性存储器应用的铜薄膜电阻存储器开关
DOI：
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发表时间：
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影响因子：
4.9
通讯作者：
Lin, Y.Y.
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Tang, L.;Zhao, C.H.;Fu, X.F.;Zhou, P.;Tang, T.A.;Chen, B.A.;Yin, M.;Lv, H.B.;Song, Y.L.;Lin, Y.Y.
