Analytical subthreshold current modleing of nanoscale ultra-thin body ultra-thin box SOI MOSFETs with a vertical gaussian doping profile
Analytical subthreshold current modleing of nanoscale ultra-thin body ultra-thin box SOI MOSFETs with a vertical gaussian doping profile
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具有垂直高斯掺杂分布的纳米级超薄体超薄盒 SOI MOSFET 的亚阈值电流分析建模
DOI：
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发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Cheng-Fu Yang
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Jing Liu;Zhibiao Shao;Li Geng;Cheng-Fu Yang
