M. Gotoh, K. Sudoh, and H. Iwasaki: "Roughening of the Si/SiO_2 interface during SC1 -chemical treatment studied by scanning tunneling microscopy"J. Vac. Sci. Teclinol. B. 18-4. 2165-2168 (2000)
M. Gotoh, K. Sudoh, and H. Iwasaki: "Roughening of the Si/SiO_2 interface during SC1 -chemical treatment studied by scanning tunneling microscopy"J. Vac. Sci. Teclinol. B. 18-4. 2165-2168 (2000)
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M. Gotoh、K. Sudoh 和 H. Iwasaki：“通过扫描隧道显微镜研究 SC1 化学处理过程中 Si/SiO_2 界面的粗糙化”J。
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