熱処理による電界印加HfSiON膜のダメ-ジ回復における窒素添加効果
熱処理による電界印加HfSiON膜のダメ-ジ回復における窒素添加効果
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氮添加对HfSiON薄膜热处理电场损伤恢复的影响
DOI：
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发表时间：
2009
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
山部紀久夫
中科院分区：
文献类型：
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作者：
菊地裕樹;田村知大;林倫弘;大毛利健治;蓮沼隆;山部紀久夫
