高移動度トランジスタ実現に向けた４族半導体の歪みエンジニアリング
高移動度トランジスタ実現に向けた４族半導体の歪みエンジニアリング
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4族半导体的应变工程以实现高迁移率晶体管
DOI：
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发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
有元圭介
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Junji Yamanaka;Chiaya Yamamoto;Mai Shirakura;Kei Sato;Takane Yamada;Kosuke O. Hara;Keisuke Arimoto and Kiyokazu Nakagawa;有元圭介
