Electrochemical etching approach to ultrathin FeSe films using electric double layer transistor
Electrochemical etching approach to ultrathin FeSe films using electric double layer transistor
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使用双电层晶体管电化学蚀刻超薄 FeSe 薄膜
DOI：
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发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
T. Nojima and A. Tsukazaki
中科院分区：
文献类型：
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作者：
J. Shiogai;T. Miyakawa;Y. Ito;T. Nojima and A. Tsukazaki
