100 keV质子与低高能质子在绝缘微孔中输运特性的对比分析
100 keV质子与低高能质子在绝缘微孔中输运特性的对比分析
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DOI：
10.7498/aps.67.20171701
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发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
邵剑雄
中科院分区：
文献类型：
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作者：
朱炳辉;杨爱香;牛书通;陈熙萌;周旺;邵剑雄
为研究中能区带电粒子在绝缘微孔中传输的物理图像,利用MATLAB程序和蒙特卡罗方法建立理论模型,得到入射能量为10 keV,100 keV和1 MeV的质子,以-1°倾斜角入射到微孔后,出射粒子角分布、沉积电荷斑分布,以及粒子在微孔内的运动轨迹等传输特性.研究结果表明,在10 keV的低能区,微孔内壁沉积电荷的导向效应是主要的传输机制.在1 MeV的高能区,进入表面以下多次随机非弹性碰撞是主要的输运机制.在100 keV的中能区,无电荷斑时,主要是以进入表面以下的随机二体碰撞为传输机制;在电荷斑累积过程中,增强的库仑排斥力逐渐抑制入射质子在微孔内壁表面发生电子俘获;当达到充放电平衡后,主要传输机制为电荷斑辅助的近表面镜面散射行为.这一特性加深了对中能区质子在微孔中输运行为的认识,有助于对百keV质子微束的控制和应用.