Absorption measurement of strained SiGe nanostructures deposited by UHV-CVD
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DOI：
10.1016/s1386-9477(02)00653-7
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发表时间：
2003-03
影响因子：
3.3
通讯作者：
G. Palfinger;B. Bitnar;H. Sigg;E. Müller;S. Stutz;D. Grützmacher
中科院分区：
文献类型：
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作者：
G. Palfinger;B. Bitnar;H. Sigg;E. Müller;S. Stutz;D. Grützmacher
