Imaging above 1 THz limit with Si-MOSFET detectors
Imaging above 1 THz limit with Si-MOSFET detectors
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使用 Si-MOSFET 探测器在 1 THz 限制以上成像
DOI：
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发表时间：
2010
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
W. Knap
中科院分区：
文献类型：
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作者：
F. Schuster;H. Videlier;M. Sakowicz;F. Teppe;D. Coquillat;B. Dupont;A. Siligaris;L. Dussopt;B. Giffard;W. Knap
我们证明，适当的天线和晶体管设计可以通过低成本 130 nm CMOS 技术为太赫兹辐射和成像能力提供高响应度，甚至高于 1 THz 限制。这一结果为 CMOS 太赫兹成像仪在高频下工作开辟了道路，因此表现出高空间分辨率——低至约 300 µm。
We demonstrate that a proper antenna and transistor design can provide high responsivity for Terahertz radiation and imaging capability even above the 1 THz limit with a low-cost 130 nm CMOS technology. This result opens the way to CMOS THz imagers working at high frequencies and therefore exhibiting high a spatial resolution — down to ~300 µm.