四元混晶AlGaInNバリア層を用いたAlGaNチャネルHFETのデバイス特性評価
四元混晶AlGaInNバリア層を用いたAlGaNチャネルHFETのデバイス特性評価
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使用四元混晶 AlGaInN 势垒层的 AlGaN 沟道 HFET 器件特性评估
DOI：
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发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
三好 実人
中科院分区：
文献类型：
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作者：
細見 大樹;古岡 啓太;Chen Heng;久保 俊晴;江川 孝志;三好 実人
