Tomoaki Hatayama, Takashi Fuyuki and Hiroyuki Matsunami: ""Time-resolved reflection high-energy electron diffraction analysis in initial stage of 3C-SiC growth on Si (001) by gas source molecular beam epitaxy"" Jpn.J.Appl.Phys. Vol.35. 5255-5260 (1996)
Tomoaki Hatayama, Takashi Fuyuki and Hiroyuki Matsunami: ""Time-resolved reflection high-energy electron diffraction analysis in initial stage of 3C-SiC growth on Si (001) by gas source molecular beam epitaxy"" Jpn.J.Appl.Phys. Vol.35. 5255-5260 (1996)
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Tomoaki Hatayama、Takashi Fuyuki 和 Hiroyuki Matsunami：“通过气源分子束外延在 Si (001) 上生长 3C-SiC 的初始阶段的时间分辨反射高能电子衍射分析”Jpn.J.Appl.Phys。
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