Material utilisation when depositing CdTe layers by inline AP-MOCVD
Material utilisation when depositing CdTe layers by inline AP-MOCVD
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通过内联 AP-MOCVD 沉积 CdTe 层时的材料利用率
DOI：
10.1016/j.jcrysgro.2012.05.023
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发表时间：
2012
影响因子：
1.8
通讯作者：
Xiaogang Yang
中科院分区：
文献类型：
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作者：
V. Barrioz;G. Kartopu;S. Irvine;S. Monir;Xiaogang Yang
